ZXM66P03N8TA | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) ZXM66P03N8TA

ZXM66P03N8TA

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	ZXM66P03N8TA
LIXINC Part #	ZXM66P03N8TA
Hersteller	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	ZXM66P03N8TA PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 25 - Sep 29 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

ZXM66P03N8TA Spezifikationen

Artikelnummer:	ZXM66P03N8TA
Marke:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	6.25A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	25mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	36 nC @ 5 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1979 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1.56W (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-SO
Paket / Koffer:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)