R6530KNX3C16 | ROHM Semiconductor R6530KNX3C16 | R6530KNX3C16 Inventory, Best Pricing

R6530KNX3C16

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Artikelnummer	R6530KNX3C16
LIXINC Part #	R6530KNX3C16
Hersteller	ROHM Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 30A TO220AB
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	R6530KNX3C16 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 25 - Sep 29 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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R6530KNX3C16 Spezifikationen

Artikelnummer:	R6530KNX3C16
Marke:	ROHM Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	650 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	30A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	140mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 960µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	56 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	2350 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	307W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220AB
Paket / Koffer:	TO-220-3