IXFT12N100Q | Wickmann / Littelfuse IXFT12N100Q | IXFT12N100Q Inventory, Best Pricing

IXFT12N100Q

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Artikelnummer	IXFT12N100Q
LIXINC Part #	IXFT12N100Q
Hersteller	Wickmann / Littelfuse
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IXFT12N100Q PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IXFT12N100Q Spezifikationen

Artikelnummer:	IXFT12N100Q
Marke:	Wickmann / Littelfuse
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Wickmann / Littelfuse
Serie:	HiPerFET™
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	1000 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	12A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	1.05Ohm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5.5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	90 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	2900 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	300W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-268
Paket / Koffer:	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA