PHM15NQ20T,518 | NXP Semiconductors PHM15NQ20T,518 | PHM15NQ20T,518 Inventory, Best Pricing

PHM15NQ20T,518

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	PHM15NQ20T,518
LIXINC Part #	PHM15NQ20T,518
Hersteller	NXP Semiconductors
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 17.5A 8HVSON
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	PHM15NQ20T,518 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

PHM15NQ20T,518 Spezifikationen

Artikelnummer:	PHM15NQ20T,518
Marke:	NXP Semiconductors
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	NXP Semiconductors
Serie:	TrenchMOS™
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	200 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	17.5A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	85mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	40 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	2170 pF @ 30 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	62.5W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-HVSON (6x5)
Paket / Koffer:	8-VDFN Exposed Pad