GSID200A120S5C1

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Artikelnummer	GSID200A120S5C1
LIXINC Part #	GSID200A120S5C1
Hersteller	SemiQ
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - Module
Beschreibung	IGBT MODULE 1200V 335A
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	GSID200A120S5C1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
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GSID200A120S5C1 Spezifikationen

Artikelnummer:	GSID200A120S5C1
Marke:	SemiQ
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - Module
Hersteller:	SemiQ
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	-
Aufbau:	Three Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	335 A
Leistung max:	-
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 200A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	1 mA
Eingangskapazität (cies) @ vce:	22.4 nF @ 25 V
Eingang:	Standard
NTC-Thermistor:	Yes
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	Module
Gerätepaket des Lieferanten:	Module

GSID200A120S5C1 Unterlagen

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