DF100R07W1H5FPB54BPSA2

DF100R07W1H5FPB54BPSA2
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Artikelnummer DF100R07W1H5FPB54BPSA2
LIXINC Part # DF100R07W1H5FPB54BPSA2
Hersteller IR (Infineon Technologies)
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - igbts - Module
Beschreibung IGBT MOD 650V 40A 20MW
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle DF100R07W1H5FPB54BPSA2 PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

DF100R07W1H5FPB54BPSA2 Spezifikationen

Artikelnummer:DF100R07W1H5FPB54BPSA2
Marke:IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - igbts - Module
Hersteller:IR (Infineon Technologies)
Serie:EasyPACK™
Paket:Tray
Teilstatus:Active
igbt-Typ:Trench Field Stop
Aufbau:2 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
Strom - Kollektor (ic) (max):40 A
Leistung max:20 mW
vce(on) (max) @ vge, ic:1.55V @ 15V, 25A
Strom - Kollektorabschaltung (max):40 µA
Eingangskapazität (cies) @ vce:2.8 nF @ 25 V
Eingang:Standard
NTC-Thermistor:Yes
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Chassis Mount
Paket / Koffer:Module
Gerätepaket des Lieferanten:Module

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