FF650R17IE4DB2BOSA1 | IR (Infineon Technologies) FF650R17IE4DB2BOSA1 | FF650R17IE4DB2BOSA1 Inventory, Best Pricing

FF650R17IE4DB2BOSA1

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Artikelnummer	FF650R17IE4DB2BOSA1
LIXINC Part #	FF650R17IE4DB2BOSA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - Module
Beschreibung	IGBT MODULE 1700V 4150W
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FF650R17IE4DB2BOSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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FF650R17IE4DB2BOSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	FF650R17IE4DB2BOSA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - Module
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	-
Aufbau:	2 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1700 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	-
Leistung max:	4150 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.45V @ 15V, 650A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	5 mA
Eingangskapazität (cies) @ vce:	54 nF @ 25 V
Eingang:	Standard
NTC-Thermistor:	Yes
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	Module
Gerätepaket des Lieferanten:	Module