SQJ952EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix SQJ952EP-T1_GE3 | SQJ952EP-T1

SQJ952EP-T1_GE3

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Artikelnummer	SQJ952EP-T1_GE3
LIXINC Part #	SQJ952EP-T1_GE3
Hersteller	Vishay / Siliconix
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SQJ952EP-T1_GE3 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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SQJ952EP-T1_GE3 Spezifikationen

Artikelnummer:	SQJ952EP-T1_GE3
Marke:	Vishay / Siliconix
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	Vishay / Siliconix
Serie:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Standard
Drain-Source-Spannung (vdss):	60V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	23A (Tc)
rds auf (max) @ id, vgs:	20mOhm @ 10.3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	30nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1800pF @ 30V
Leistung max:	25W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	PowerPAK® SO-8 Dual
Gerätepaket des Lieferanten:	PowerPAK® SO-8 Dual