SSM6N35AFU,LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM6N35AFU,LF

SSM6N35AFU,LF

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Artikelnummer	SSM6N35AFU,LF
LIXINC Part #	SSM6N35AFU,LF
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SSM6N35AFU,LF PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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SSM6N35AFU,LF Spezifikationen

Artikelnummer:	SSM6N35AFU,LF
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Standard
Drain-Source-Spannung (vdss):	20V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	250mA (Ta)
rds auf (max) @ id, vgs:	1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	0.34nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	36pF @ 10V
Leistung max:	285mW (Ta)
Betriebstemperatur:	150°C
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket des Lieferanten:	US6