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PMDXB600UNEZ

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Artikelnummer	PMDXB600UNEZ
LIXINC Part #	PMDXB600UNEZ
Hersteller	Nexperia
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	PMDXB600UNEZ PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

PMDXB600UNEZ Spezifikationen

Artikelnummer:	PMDXB600UNEZ
Marke:	Nexperia
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	Nexperia
Serie:	TrenchFET®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	20V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	600mA
rds auf (max) @ id, vgs:	620mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	950mV @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	0.7nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	21.3pF @ 10V
Leistung max:	265mW
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	6-XFDFN Exposed Pad
Gerätepaket des Lieferanten:	DFN1010B-6

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