FF8MR12W2M1B11BOMA1 | IR (Infineon Technologies) FF8MR12W2M1B11BOMA1 | FF8MR12W2M1B11BOMA1 Inventory, Best Pricing

FF8MR12W2M1B11BOMA1

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Artikelnummer	FF8MR12W2M1B11BOMA1
LIXINC Part #	FF8MR12W2M1B11BOMA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FF8MR12W2M1B11BOMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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FF8MR12W2M1B11BOMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	FF8MR12W2M1B11BOMA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	CoolSiC™+
Paket:	Tray
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (vdss):	1200V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	150A (Tj)
rds auf (max) @ id, vgs:	7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ)
vgs(th) (max) @ id:	5.55V @ 60mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	372nC @ 15V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	11000pF @ 800V
Leistung max:	20mW (Tc)
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	Module
Gerätepaket des Lieferanten:	AG-EASY2BM-2