SIZ200DT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SIZ200DT-T1-GE3 | SIZ200DT-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SIZ200DT-T1-GE3

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Artikelnummer	SIZ200DT-T1-GE3
LIXINC Part #	SIZ200DT-T1-GE3
Hersteller	Vishay / Siliconix
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET N-CH DUAL 30V
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SIZ200DT-T1-GE3 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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SIZ200DT-T1-GE3 Spezifikationen

Artikelnummer:	SIZ200DT-T1-GE3
Marke:	Vishay / Siliconix
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	Vishay / Siliconix
Serie:	TrenchFET® Gen IV
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual)
fet-Funktion:	Standard
Drain-Source-Spannung (vdss):	30V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
rds auf (max) @ id, vgs:	5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	28nC @ 10V, 30nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Leistung max:	4.3W (Ta), 33W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-PowerWDFN
Gerätepaket des Lieferanten:	8-PowerPair® (3.3x3.3)