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CSD86330Q3D

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Artikelnummer	CSD86330Q3D
LIXINC Part #	CSD86330Q3D
Hersteller	Texas Instruments
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	CSD86330Q3D PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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CSD86330Q3D Spezifikationen

Artikelnummer:	CSD86330Q3D
Marke:	Texas Instruments
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	Texas Instruments
Serie:	NexFET™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	2 N-Channel (Half Bridge)
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	25V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	20A
rds auf (max) @ id, vgs:	9.6mOhm @ 14A, 8V
vgs(th) (max) @ id:	2.1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	6.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	920pF @ 12.5V
Leistung max:	6W
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-PowerLDFN
Gerätepaket des Lieferanten:	8-LSON (3.3x3.3)