55GN01MA-TL-E | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor 55GN01MA-TL-E

55GN01MA-TL-E

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Artikelnummer	55GN01MA-TL-E
LIXINC Part #	55GN01MA-TL-E
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Beschreibung	RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3MCP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	55GN01MA-TL-E PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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55GN01MA-TL-E Spezifikationen

Artikelnummer:	55GN01MA-TL-E
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	10V
Frequenz - Übergang:	4.5GHz ~ 5.5GHz
Rauschzahl (db typ @ f):	1.9dB @ 1GHz
gewinnen:	10dB @ 1GHz
Leistung max:	400mW
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	100 @ 10mA, 5V
Strom - Kollektor (ic) (max):	70mA
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SC-70, SOT-323
Gerätepaket des Lieferanten:	3-MCP

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