NSVMMBTH10LT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NSVMMBTH10LT1G

NSVMMBTH10LT1G

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Artikelnummer	NSVMMBTH10LT1G
LIXINC Part #	NSVMMBTH10LT1G
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Beschreibung	RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NSVMMBTH10LT1G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NSVMMBTH10LT1G Spezifikationen

Artikelnummer:	NSVMMBTH10LT1G
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - rf
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	25V
Frequenz - Übergang:	650MHz
Rauschzahl (db typ @ f):	-
gewinnen:	-
Leistung max:	225mW
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	60 @ 4mA, 10V
Strom - Kollektor (ic) (max):	-
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten:	SOT-23

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