IGW50N65F5AXKSA1 | Rochester Electronics IGW50N65F5AXKSA1 | IGW50N65F5AXKSA1 Inventory, Best Pricing

IGW50N65F5AXKSA1

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Artikelnummer	IGW50N65F5AXKSA1
LIXINC Part #	IGW50N65F5AXKSA1
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IGW50N65F5AXKSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IGW50N65F5AXKSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IGW50N65F5AXKSA1
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	650 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	80 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	150 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 50A
Leistung max:	270 W
Schaltenergie:	490µJ (on), 140µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	108 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	21ns/156ns
Testbedingung:	400V, 25A, 12Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO247-3