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RJH60F4DPQ-A0#T0

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Artikelnummer	RJH60F4DPQ-A0#T0
LIXINC Part #	RJH60F4DPQ-A0#T0
Hersteller	Renesas Electronics America
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT 600V 60A 235.8W TO247A
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	RJH60F4DPQ-A0#T0 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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RJH60F4DPQ-A0#T0 Spezifikationen

Artikelnummer:	RJH60F4DPQ-A0#T0
Marke:	Renesas Electronics America
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Renesas Electronics America
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	60 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	-
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.82V @ 15V, 30A
Leistung max:	235.8 W
Schaltenergie:	-
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	-
td (ein/aus) bei 25 °c:	45ns/85ns
Testbedingung:	400V, 30A, 5Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	90 ns
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247A

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