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FGA6540WDF

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Artikelnummer	FGA6540WDF
LIXINC Part #	FGA6540WDF
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FGA6540WDF PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 11 - Oct 15 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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FGA6540WDF Spezifikationen

Artikelnummer:	FGA6540WDF
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	650 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	80 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	120 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.3V @ 15V, 40A
Leistung max:	238 W
Schaltenergie:	1.37mJ (on), 250µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	55.5 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	16.8ns/54.4ns
Testbedingung:	400V, 40A, 6Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	101 ns
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-3P-3, SC-65-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-3PN

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