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NGTB60N60SWG

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Artikelnummer	NGTB60N60SWG
LIXINC Part #	NGTB60N60SWG
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT, 120A, 600V, N-CHANNEL
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NGTB60N60SWG PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NGTB60N60SWG Spezifikationen

Artikelnummer:	NGTB60N60SWG
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	120 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	240 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.5V @ 15V, 60A
Leistung max:	298 W
Schaltenergie:	1.41mJ (on), 600µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	173 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	87ns/180ns
Testbedingung:	400V, 60A, 10Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	76 ns
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247

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