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NGB8206NTF4G

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Artikelnummer	NGB8206NTF4G
LIXINC Part #	NGB8206NTF4G
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NGB8206NTF4G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NGB8206NTF4G Spezifikationen

Artikelnummer:	NGB8206NTF4G
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	*
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	390 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	20 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	-
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.9V @ 4.5V, 20A
Leistung max:	150 W
Schaltenergie:	-
Eingabetyp:	Logic
Gate-Gebühr:	-
td (ein/aus) bei 25 °c:	-
Testbedingung:	-
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Betriebstemperatur:	-
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten:	D2PAK

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