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STGYA120M65DF2AG

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Artikelnummer	STGYA120M65DF2AG
LIXINC Part #	STGYA120M65DF2AG
Hersteller	STMicroelectronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	STGYA120M65DF2AG PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

STGYA120M65DF2AG Spezifikationen

Artikelnummer:	STGYA120M65DF2AG
Marke:	STMicroelectronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	STMicroelectronics
Serie:	M
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	650 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	160 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	360 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.15V @ 15V, 120A
Leistung max:	625 W
Schaltenergie:	1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	420 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	66ns/185ns
Testbedingung:	400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	202 ns
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten:	MAX247™

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