FGP10N60UNDF | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FGP10N60UNDF

FGP10N60UNDF

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Artikelnummer	FGP10N60UNDF
LIXINC Part #	FGP10N60UNDF
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT NPT 600V 20A TO220-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FGP10N60UNDF PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

FGP10N60UNDF Spezifikationen

Artikelnummer:	FGP10N60UNDF
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	NPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	20 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	30 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.45V @ 15V, 10A
Leistung max:	139 W
Schaltenergie:	150µJ (on), 50µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	37 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	8ns/52.2ns
Testbedingung:	400V, 10A, 10Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	37.7 ns
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220-3

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