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HGT1S12N60A4DS

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Artikelnummer	HGT1S12N60A4DS
LIXINC Part #	HGT1S12N60A4DS
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT, 54A, 600V, N-CHANNEL, TO-2
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	HGT1S12N60A4DS PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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HGT1S12N60A4DS Spezifikationen

Artikelnummer:	HGT1S12N60A4DS
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	54 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	96 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.7V @ 15V, 12A
Leistung max:	167 W
Schaltenergie:	55µJ (on), 50µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	120 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	17ns/96ns
Testbedingung:	390V, 12A, 10Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	30 ns
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-263AB