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Artikelnummer | IRG8P15N120KD-EPBF |
LIXINC Part # | IRG8P15N120KD-EPBF |
Hersteller | Rochester Electronics |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln |
Beschreibung | IRG8P15N120 - DISCRETE IGBT WITH |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | IRG8P15N120KD-EPBF PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
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Artikelnummer: | IRG8P15N120KD-EPBF |
Marke: | Rochester Electronics |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - igbts - einzeln |
Hersteller: | Rochester Electronics |
Serie: | - |
Paket: | Bulk |
Teilstatus: | Obsolete |
igbt-Typ: | - |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 1.2 V |
Strom - Kollektor (ic) (max): | 30 A |
Strom - Kollektor gepulst (icm): | 30 A |
vce(on) (max) @ vge, ic: | 2V @ 15V, 10A |
Leistung max: | 125 W |
Schaltenergie: | 600µJ (on), 600µJ (off) |
Eingabetyp: | Standard |
Gate-Gebühr: | 98 nC |
td (ein/aus) bei 25 °c: | 15ns/170ns |
Testbedingung: | 600V, 10A, 10Ohm, 15V |
Rückwärtserholzeit (trr): | 60 ns |
Betriebstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Paket / Koffer: | TO-247-3 |
Gerätepaket des Lieferanten: | TO-247AD |
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Auf Lager | 19065 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $3.11000 | $3.11 |
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