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STGD6NC60H-1

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Artikelnummer	STGD6NC60H-1
LIXINC Part #	STGD6NC60H-1
Hersteller	STMicroelectronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT N-CH 600V 7A IPAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	STGD6NC60H-1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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STGD6NC60H-1 Spezifikationen

Artikelnummer:	STGD6NC60H-1
Marke:	STMicroelectronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	STMicroelectronics
Serie:	PowerMESH™
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	15 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	21 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.5V @ 15V, 3A
Leistung max:	62.5 W
Schaltenergie:	20µJ (on), 68µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	13.6 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	12ns/76ns
Testbedingung:	390V, 3A, 10Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gerätepaket des Lieferanten:	IPAK (TO-251)

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