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NGTG20N60L2TF1G

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Artikelnummer	NGTG20N60L2TF1G
LIXINC Part #	NGTG20N60L2TF1G
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NGTG20N60L2TF1G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

NGTG20N60L2TF1G Spezifikationen

Artikelnummer:	NGTG20N60L2TF1G
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	*
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	-
Strom - Kollektor (ic) (max):	-
Strom - Kollektor gepulst (icm):	-
vce(on) (max) @ vge, ic:	-
Leistung max:	-
Schaltenergie:	-
Eingabetyp:	-
Gate-Gebühr:	-
td (ein/aus) bei 25 °c:	-
Testbedingung:	-
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Betriebstemperatur:	-
Befestigungsart:	-
Paket / Koffer:	-
Gerätepaket des Lieferanten:	-

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