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STGB30H65DFB2

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Artikelnummer	STGB30H65DFB2
LIXINC Part #	STGB30H65DFB2
Hersteller	STMicroelectronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	STGB30H65DFB2 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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STGB30H65DFB2 Spezifikationen

Artikelnummer:	STGB30H65DFB2
Marke:	STMicroelectronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	STMicroelectronics
Serie:	HB2
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	650 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	50 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	90 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 30A
Leistung max:	167 W
Schaltenergie:	270µJ (on), 310µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	90 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	18.4ns/71ns
Testbedingung:	400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	115 ns
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Gerätepaket des Lieferanten:	D2PAK-3

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