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FGY75N60SMD

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Artikelnummer	FGY75N60SMD
LIXINC Part #	FGY75N60SMD
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FGY75N60SMD PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

FGY75N60SMD Spezifikationen

Artikelnummer:	FGY75N60SMD
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	150 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	225 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.5V @ 15V, 75A
Leistung max:	750 W
Schaltenergie:	2.3mJ (on), 770µJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	248 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	24ns/136ns
Testbedingung:	400V, 75A, 3Ohm, 15V
Rückwärtserholzeit (trr):	55 ns
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-247-3 Variant
Gerätepaket des Lieferanten:	PowerTO-247-3

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