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FGD3N60LSDTM-T

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Artikelnummer	FGD3N60LSDTM-T
LIXINC Part #	FGD3N60LSDTM-T
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - einzeln
Beschreibung	IGBT, 6A, 600V, N-CHANNEL
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FGD3N60LSDTM-T PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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FGD3N60LSDTM-T Spezifikationen

Artikelnummer:	FGD3N60LSDTM-T
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - einzeln
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	6 A
Strom - Kollektor gepulst (icm):	25 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.5V @ 10V, 3A
Leistung max:	40 W
Schaltenergie:	250µJ (on), 1mJ (off)
Eingabetyp:	Standard
Gate-Gebühr:	12.5 nC
td (ein/aus) bei 25 °c:	40ns/600ns
Testbedingung:	480V, 3A, 470Ohm, 10V
Rückwärtserholzeit (trr):	234 ns
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-252, (D-Pak)

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