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FQI3N25TU

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Artikelnummer	FQI3N25TU
LIXINC Part #	FQI3N25TU
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 250V 2.8A I2PAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FQI3N25TU PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 23 - Oct 27 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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FQI3N25TU Spezifikationen

Artikelnummer:	FQI3N25TU
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	QFET®
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	250 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	2.8A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	2.2Ohm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	5.2 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	170 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	3.13W (Ta), 45W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	I2PAK (TO-262)
Paket / Koffer:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA