SIHD1K4N60E-GE3 | Vishay / Siliconix SIHD1K4N60E-GE3 | SIHD1K4N60E-GE3 Inventory, Best Pricing

SIHD1K4N60E-GE3

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Artikelnummer	SIHD1K4N60E-GE3
LIXINC Part #	SIHD1K4N60E-GE3
Hersteller	Vishay / Siliconix
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SIHD1K4N60E-GE3 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 22 - Oct 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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SIHD1K4N60E-GE3 Spezifikationen

Artikelnummer:	SIHD1K4N60E-GE3
Marke:	Vishay / Siliconix
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Vishay / Siliconix
Serie:	E
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	600 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	4.2A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	1.45Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	7.5 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	172 pF @ 100 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	63W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-252AA
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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