IPI120N10S405AKSA1 | Rochester Electronics IPI120N10S405AKSA1 | IPI120N10S405AKSA1 Inventory, Best Pricing

IPI120N10S405AKSA1

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	IPI120N10S405AKSA1
LIXINC Part #	IPI120N10S405AKSA1
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IPI120N10S405AKSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 26 - Sep 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

IPI120N10S405AKSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IPI120N10S405AKSA1
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	120A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	-
rds auf (max) @ id, vgs:	5.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 120µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	91 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	6540 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	190W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO262-3
Paket / Koffer:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA