NTTFS008P03P8Z | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTTFS008P03P8Z

NTTFS008P03P8Z

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	NTTFS008P03P8Z
LIXINC Part #	NTTFS008P03P8Z
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 22A/96A 8PQFN
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NTTFS008P03P8Z PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 26 - Sep 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

NTTFS008P03P8Z Spezifikationen

Artikelnummer:	NTTFS008P03P8Z
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	22A (Ta), 96A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	3.8mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	134 nC @ 10 V
vgs (max):	±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	5600 pF @ 15 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	2.36W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-PQFN (3.3x3.3)
Paket / Koffer:	8-PowerWDFN