PHT6NQ10T,135 | Nexperia PHT6NQ10T,135 | PHT6NQ10T,135 Inventory, Best Pricing

PHT6NQ10T,135

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	PHT6NQ10T,135
LIXINC Part #	PHT6NQ10T,135
Hersteller	Nexperia
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	PHT6NQ10T,135 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 26 - Sep 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

PHT6NQ10T,135 Spezifikationen

Artikelnummer:	PHT6NQ10T,135
Marke:	Nexperia
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Nexperia
Serie:	TrenchMOS™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	3A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	90mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	21 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	633 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Betriebstemperatur:	-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	SOT-223
Paket / Koffer:	TO-261-4, TO-261AA