RM8N650TI | Rectron USA RM8N650TI | RM8N650TI Inventory, Best Pricing

RM8N650TI

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	RM8N650TI
LIXINC Part #	RM8N650TI
Hersteller	Rectron USA
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CHANNEL 650V 8A TO220F
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	RM8N650TI PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 26 - Sep 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

RM8N650TI Spezifikationen

Artikelnummer:	RM8N650TI
Marke:	Rectron USA
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rectron USA
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	650 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	8A (Tj)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	450mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	680 pF @ 50 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	31.7W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220F
Paket / Koffer:	TO-220-3 Full Pack