Nur als Referenz
Artikelnummer | TN2106N3-G |
LIXINC Part # | TN2106N3-G |
Hersteller | Roving Networks / Microchip Technology |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3 |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | TN2106N3-G PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Jul 08 - Jul 12 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | ![]() |
Versand | ![]() |
Artikelnummer: | TN2106N3-G |
Marke: | Roving Networks / Microchip Technology |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | Roving Networks / Microchip Technology |
Serie: | - |
Paket: | Bulk |
Teilstatus: | Active |
fet-Typ: | N-Channel |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (vdss): | 60 V |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | 300mA (Tj) |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | 4.5V, 10V |
rds auf (max) @ id, vgs: | 2.5Ohm @ 500mA, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 2V @ 1mA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | - |
vgs (max): | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 50 pF @ 25 V |
fet-Funktion: | - |
Verlustleistung (max.): | 740mW (Tc) |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Gerätepaket des Lieferanten: | TO-92-3 |
Paket / Koffer: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
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Auf Lager | 12314 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.53000 | $0.53 |
25 | $0.44112 | $11.028 |
100 | $0.39893 | $39.893 |
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