STH110N10F7-2 | STMicroelectronics STH110N10F7-2 | STH110N10F7-2 Inventory, Best Pricing

STH110N10F7-2

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	STH110N10F7-2
LIXINC Part #	STH110N10F7-2
Hersteller	STMicroelectronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N CH 100V 110A H2PAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	STH110N10F7-2 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 05 - Jul 09 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

STH110N10F7-2 Spezifikationen

Artikelnummer:	STH110N10F7-2
Marke:	STMicroelectronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	STMicroelectronics
Serie:	DeepGATE™, STripFET™ VII
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	110A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	6.5mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	72 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	5117 pF @ 50 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	150W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	H2Pak-2
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB