DMN95H8D5HCT | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMN95H8D5HCT

DMN95H8D5HCT

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	DMN95H8D5HCT
LIXINC Part #	DMN95H8D5HCT
Hersteller	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	DMN95H8D5HCT PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 27 - Oct 01 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

DMN95H8D5HCT Spezifikationen

Artikelnummer:	DMN95H8D5HCT
Marke:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	950 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	2.5A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	7Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	7.9 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	470 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	125W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220AB
Paket / Koffer:	TO-220-3