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RV2C010UNT2L

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Artikelnummer	RV2C010UNT2L
LIXINC Part #	RV2C010UNT2L
Hersteller	ROHM Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	RV2C010UNT2L PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 27 - Oct 01 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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RV2C010UNT2L Spezifikationen

Artikelnummer:	RV2C010UNT2L
Marke:	ROHM Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	20 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	1A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	1.2V, 4.5V
rds auf (max) @ id, vgs:	470mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	40 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	400mW (Ta)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	DFN1006-3 (VML1006)
Paket / Koffer:	SC-101, SOT-883