FCMT180N65S3 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FCMT180N65S3

FCMT180N65S3

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Artikelnummer	FCMT180N65S3
LIXINC Part #	FCMT180N65S3
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 17A POWER88
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FCMT180N65S3 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 06 - Oct 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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FCMT180N65S3 Spezifikationen

Artikelnummer:	FCMT180N65S3
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	SuperFET® III
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	650 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	17A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	180mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 1.8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	33 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1350 pF @ 400 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	139W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	Power88
Paket / Koffer:	4-PowerTSFN