Nur als Referenz
Artikelnummer | PMV48XPA2R |
LIXINC Part # | PMV48XPA2R |
Hersteller | Nexperia |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | PMV48XPA2R PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Jul 08 - Jul 12 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | ![]() |
Versand | ![]() |
Artikelnummer: | PMV48XPA2R |
Marke: | Nexperia |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | Nexperia |
Serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
Paket: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
Teilstatus: | Active |
fet-Typ: | P-Channel |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (vdss): | 20 V |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | 4A (Ta) |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | 2.5V, 8V |
rds auf (max) @ id, vgs: | 49mOhm @ 4A, 8V |
vgs(th) (max) @ id: | 1.3V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 10 nC @ 4.5 V |
vgs (max): | ±12V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 679 pF @ 10 V |
fet-Funktion: | - |
Verlustleistung (max.): | 610mW (Ta), 8.3W (Tc) |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten: | TO-236AB |
Paket / Koffer: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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Auf Lager | 13751 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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