Nur als Referenz
Artikelnummer | IRF6785MTRPBF |
LIXINC Part # | IRF6785MTRPBF |
Hersteller | IR (Infineon Technologies) |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | IRF6785MTRPBF PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Jul 05 - Jul 09 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | ![]() |
Versand | ![]() |
Artikelnummer: | IRF6785MTRPBF |
Marke: | IR (Infineon Technologies) |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | IR (Infineon Technologies) |
Serie: | HEXFET® |
Paket: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
Teilstatus: | Active |
fet-Typ: | N-Channel |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (vdss): | 200 V |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | 3.4A (Ta), 19A (Tc) |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | 10V |
rds auf (max) @ id, vgs: | 100mOhm @ 4.2A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 5V @ 100µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 36 nC @ 10 V |
vgs (max): | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 1500 pF @ 25 V |
fet-Funktion: | - |
Verlustleistung (max.): | 2.8W (Ta), 57W (Tc) |
Betriebstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten: | DIRECTFET™ MZ |
Paket / Koffer: | DirectFET™ Isometric MZ |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.27600 | $1.276 |
4800 | $1.25840 | $6040.32 |
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