Nur als Referenz
Artikelnummer | STT6N3LLH6 |
LIXINC Part # | STT6N3LLH6 |
Hersteller | STMicroelectronics |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6 |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | STT6N3LLH6 PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Jul 03 - Jul 07 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | ![]() |
Versand | ![]() |
Artikelnummer: | STT6N3LLH6 |
Marke: | STMicroelectronics |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Serie: | DeepGATE™, STripFET™ VI |
Paket: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
Teilstatus: | Active |
fet-Typ: | N-Channel |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (vdss): | 30 V |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | 6A (Tc) |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | 4.5V, 10V |
rds auf (max) @ id, vgs: | 25mOhm @ 3A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 1V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 3.6 nC @ 4.5 V |
vgs (max): | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 283 pF @ 24 V |
fet-Funktion: | - |
Verlustleistung (max.): | 1.6W (Tc) |
Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten: | SOT-23-6 |
Paket / Koffer: | SOT-23-6 |
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Auf Lager | 13173 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.71000 | $0.71 |
3000 | $0.42518 | $1275.54 |
6000 | $0.40626 | $2437.56 |
15000 | $0.39274 | $5891.1 |
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