BUZ30AH3045AATMA1 | Rochester Electronics BUZ30AH3045AATMA1 | BUZ30AH3045AATMA1 Inventory, Best Pricing

BUZ30AH3045AATMA1

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	BUZ30AH3045AATMA1
LIXINC Part #	BUZ30AH3045AATMA1
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	BUZ30 - SIPMOS POWER TRANSISTOR
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BUZ30AH3045AATMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

BUZ30AH3045AATMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	BUZ30AH3045AATMA1
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	SIPMOS®
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	200 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	21A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	130mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1.9 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	125W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	D²PAK (TO-263AB)
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB