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IRLR8259TRPBF

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Artikelnummer	IRLR8259TRPBF
LIXINC Part #	IRLR8259TRPBF
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IRLR8259TRPBF PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IRLR8259TRPBF Spezifikationen

Artikelnummer:	IRLR8259TRPBF
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	HEXFET®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	25 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	57A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	8.7mOhm @ 21A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.35V @ 25µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	10 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	900 pF @ 13 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	48W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	D-Pak
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63