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Artikelnummer | FQNL2N50BTA |
LIXINC Part # | FQNL2N50BTA |
Hersteller | Rochester Electronics |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0 |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | FQNL2N50BTA PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Sep 15 - Sep 19 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
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Artikelnummer: | FQNL2N50BTA |
Marke: | Rochester Electronics |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | Rochester Electronics |
Serie: | QFET® |
Paket: | Bulk |
Teilstatus: | Active |
fet-Typ: | N-Channel |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (vdss): | 500 V |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | 350mA (Tc) |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | 10V |
rds auf (max) @ id, vgs: | 5.3Ohm @ 175mA, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 3.7V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 8 nC @ 10 V |
vgs (max): | ±30V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 230 pF @ 25 V |
fet-Funktion: | - |
Verlustleistung (max.): | 1.5W (Tc) |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Gerätepaket des Lieferanten: | TO-92-3 |
Paket / Koffer: | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
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Auf Lager | 20908 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.21000 | $0.21 |
2000 | $0.21000 | $420 |
6000 | $0.19629 | $1177.74 |
10000 | $0.18943 | $1894.3 |
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