SSM3K35CT,L3F | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM3K35CT,L3F

SSM3K35CT,L3F

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Artikelnummer	SSM3K35CT,L3F
LIXINC Part #	SSM3K35CT,L3F
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 180MA CST3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SSM3K35CT,L3F PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 15 - Sep 19 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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SSM3K35CT,L3F Spezifikationen

Artikelnummer:	SSM3K35CT,L3F
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	20 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	180mA (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	1.2V, 4V
rds auf (max) @ id, vgs:	3Ohm @ 50mA, 4V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	9.5 pF @ 3 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	100mW (Ta)
Betriebstemperatur:	150°C
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	CST3
Paket / Koffer:	SC-101, SOT-883