Nur als Referenz
Artikelnummer | IRF610SPBF |
LIXINC Part # | IRF610SPBF |
Hersteller | Vishay / Siliconix |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | IRF610SPBF PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Jul 03 - Jul 07 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | ![]() |
Versand | ![]() |
Artikelnummer: | IRF610SPBF |
Marke: | Vishay / Siliconix |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | Vishay / Siliconix |
Serie: | - |
Paket: | Tube |
Teilstatus: | Active |
fet-Typ: | N-Channel |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (vdss): | 200 V |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | 3.3A (Tc) |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | 10V |
rds auf (max) @ id, vgs: | 1.5Ohm @ 2A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 4V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 8.2 nC @ 10 V |
vgs (max): | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 140 pF @ 25 V |
fet-Funktion: | - |
Verlustleistung (max.): | 3W (Ta), 36W (Tc) |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten: | D2PAK |
Paket / Koffer: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Auf Lager | 10991 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.81000 | $1.81 |
10 | $1.63184 | $16.3184 |
100 | $1.31107 | $131.107 |
500 | $1.01974 | $509.87 |
1000 | $0.84493 | $844.93 |
3000 | $0.78666 | $2359.98 |
5000 | $0.75752 | $3787.6 |
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