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RSJ10HN06TL

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Artikelnummer	RSJ10HN06TL
LIXINC Part #	RSJ10HN06TL
Hersteller	ROHM Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 100A LPTS
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	RSJ10HN06TL PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 01 - Jul 05 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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RSJ10HN06TL Spezifikationen

Artikelnummer:	RSJ10HN06TL
Marke:	ROHM Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	100A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	4.2mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	202 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	11000 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	100W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	LPTS
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB