NVTFS5C670NLTAG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVTFS5C670NLTAG

NVTFS5C670NLTAG

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Artikelnummer	NVTFS5C670NLTAG
LIXINC Part #	NVTFS5C670NLTAG
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NVTFS5C670NLTAG PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 07 - Jul 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NVTFS5C670NLTAG Spezifikationen

Artikelnummer:	NVTFS5C670NLTAG
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	Automotive, AEC-Q101
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	16A (Ta), 70A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	6.8mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	20 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1400 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	3.2W (Ta), 63W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-WDFN (3.3x3.3)
Paket / Koffer:	8-PowerWDFN